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冷却機構付高均熱基板加熱ヒータの開発

冷却機構付高均熱基盤加熱ヒータ
冷却機構付高均基盤加熱ヒータ

半導体プロセスでは、高均一な温度分布が求められ、ウエハーサイズも12インチ(300mm)の大型化が進められています。今回、開発した冷却機構付高均熱基板加熱ヒータは、6インチから12インチまでのサイズに対応可能で、ヒータ温度は800℃Max、Si基板温度で、400℃±2℃を実現しました。また、冷却機構内を内蔵し圧搾空気フローにより1TorrのAr雰囲気において、基板加熱ヒータ温度600℃から200℃まで約20分で冷却できます。また、CVD等で使用される腐食性ガスでも腐食し難いインコネル合金を使用しており、加熱ヒータ面内の変形量も40µm以内に抑えられています。

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